高可靠掺氮薄栅SiO介质的研制

从实验上深入研究了栅氧化前Si表面清洗方法及予处理方法对薄栅SiO2特性的影响，通过大量实验，得到些有意义的结论。改进的RCA清洗液具有创新性，用实验证实预氧化层对栅SiO2可靠性的重要性在国内为首次。进行了大量实验，证明N2O氮化提高了栅介质抗FN应力损伤能力、抗高温退化能力及抗硼穿透能力，从实验和机理上研究了N2O退火氮化对薄栅SiO2的可靠的改善，得到一些有价值的介释，工作具有新意。从实验上证实氮注入氮化栅SiO2有良的抗硼穿透性能，且其抗击穿特性、抗FN应力损伤能力较之常规热生长SiO2均有明显的改善。上述结果可直接用于超大规模集成电路制作中；同时对研究更薄的栅SiO2（＜7nm）具有重要参考价值。