高可靠掺氮薄栅SiO介质的研制

基本信息
批准号:69776031
项目类别:面上项目
资助金额:11.00
负责人:刘忠立
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:刘忠立,和致经,高文玉,于芳,张永刚,孟捷,刘开宇,梁秀琴
关键词:
薄栅SiO介质掺氮高可靠性
结项摘要

从实验上深入研究了栅氧化前Si表面清洗方法及予处理方法对薄栅SiO2特性的影响,通过大量实验,得到些有意义的结论。改进的RCA清洗液具有创新性,用实验证实预氧化层对栅SiO2可靠性的重要性在国内为首次。进行了大量实验,证明N2O氮化提高了栅介质抗FN应力损伤能力、抗高温退化能力及抗硼穿透能力,从实验和机理上研究了N2O退火氮化对薄栅SiO2的可靠的改善,得到一些有价值的介释,工作具有新意。从实验上证实氮注入氮化栅SiO2有良的抗硼穿透性能,且其抗击穿特性、抗FN应力损伤能力较之常规热生长SiO2均有明显的改善。上述结果可直接用于超大规模集成电路制作中;同时对研究更薄的栅SiO2(<7nm)具有重要参考价值。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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