GaAs超高速集成电路复杂互连封装结构电磁仿真研究

基本信息
批准号:69376022
项目类别:面上项目
资助金额:6.50
负责人:王秉中
学科分类:
依托单位:电子科技大学
批准年份:1993
结题年份:1995
起止时间:1994-01-01 - 1995-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:万长华,任伟,邓扬建,方剑,兰康
关键词:
互连电磁仿真超高速集成电路
结项摘要

本项目以GaAs超高速集成电路中的MCM封装为研究对象,建立各种复杂互连封装结构电磁特性的理论模型,通过严格的电磁仿真分析,预测超高速窄脉冲信号在复杂互连封装系统中的传输结果,探索新型的高密度且弱互耦干扰、小时延、低损耗、弱色散的互连封装结构。在用准TEM法对均匀和渐变互连传输线、网状地板带状线进行分析计算,以及用时域有限差分法仿真分析各种复杂互连封装结构方面取得了许多创新成果,在国内外学术刊物发表论文8篇。成果可广泛用来处理各种均匀、非均匀互连传输线及复杂互连结构电磁特性的分析。圆满完成预期计划,达到预期目标。本成果发表后,很快受到国内外同行专家的好评和关注,邀请进行国际合作研究,引用或索要论文。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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