Φ2“SI-GaAs单晶材料阈值电压均匀性研究

砷化镓化合物半导体器件具有高速、低功耗、宽工作温度和抗辐射等优点。在通讯、航天、计算机和军事上有重要应用。然而要获得完美的砷化镓单晶十分困难，这严重制约着器件的发展。因此，与器件相关的材料机理问题的研究非常重要。阈值电压是连接材料和器件的桥梁，它的均匀性研究是材料与器件关系研究的重要内容。本课题系统研究了这部分内容，设计了一套既能反映材料质量又能反映器件参数的阈值电压测试版图；建立了一套阈值电压自动测试系统，通过阈值电压均匀性的测定，探索了它与材料参数的关系，同时筛选出最能表征材料质量的材料参数，以指导改进单晶材料的生长工艺，进一步提高器件的可靠性和成品率。