AlGaInP/GaAsHBT和器件高温特性研究
基本信息
批准号：69576035
项目类别：面上项目
资助金额：9.50
负责人：夏冠群
学科分类：
依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份：1995
结题年份：1998
起止时间：1996-01-01 - 1998-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：吴强,冯先根,黄韵波,顾伟东
关键词：
HBTΔEVAlGaInP
结项摘要
在对AlGaInP/GaAs异质结进行材料结构和能带结构设计和理论计算的基础上，生长了这种HBT材料并制得了器件。实验上验证了这种HBT具有优越的高温特性，673K时直流放大倍数与室温时相比只下降了10%；并且利用半导体物理测试手段对这种异质结材料作了测试，分析其对器件性能的影响；同时高温测试时利用RTP设备做到了对器件性能变化的实时跟踪，经SIMS分析得出了器件高温下的失效机理为欧姆接触金属的穿透；采用Ti/Pd/Au，W/Ti/Au作欧姆接触金属，改善了器件的热稳定性。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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