Ni-Ti薄膜的研制及其相变行为和形状记忆效应的研究

用磁控溅射法在不同衬底上制备出具不同厚度的Ni-Ti薄膜，给出了不同衬底对Ni-Ti薄膜制备的影响，并探索出最佳晶化条件。给出了使膜脱离衬底的新工艺，发现薄膜的形状记忆效应具尺寸效应。10μm厚的Ni-Ti膜在最佳晶化条件下晶化后，其记忆效应达体材料水平，即恢复率接近100%，回复力达100MPa，薄膜的相变程序为B2→R相→B'19，马氏体相和R相均对形状记忆效应有贡献。首次用TEM观测到Ni-Ti膜中具有不同于体材料的新点陈结构，提出了相应的结构模型（Bmmm）和起因，并得到XRE证实。不同的热处理工艺对膜的晶粒尺寸，SME，第二相析出以及膜的脆性有影响。成功地测定了反铁电材料的相变行为和驱动效应，并制备出Ni-Ti膜/LiNbO3复合材料。