Corilagin调控小胶质细胞PIDD-C/NEMO修饰治疗放射性脑损伤的机制研究

放射性脑损伤（RIB）是脑部放射治疗后常见而严重的并发症，而电离辐射后脑组织内炎症产生是RIB发生的关键因素。我们初步研究显示小胶质细胞受照射后NF-κB信号通路激活，释放致炎因子，是脑组织炎症的主要来源,将成为调控RIB的重要靶点；其中NEMO修饰是NF-κB通路激活的决定性因素。我们前期研究发现Corilagin具有抗炎作用，主要调节NEMO活性从而抑制NF-κB转录，而近年研究发现PIDD-C具有潜在调节NEMO的作用。因此本课题通过NF-κB报告基因转染、NEMO活化检测、PIDD-C 表达质粒转染等，观测Corilagin 对电离辐射后小胶质细胞PIDD-C/NEMO/NF-κB信号通路的影响，在细胞水平观测Corilagin对小胶质电离辐射激活的抑制作用，从整体水平探讨Corilagin对放射性脑损伤防护作用的机制，丰富RIB 的机制，为其治疗提供新的治疗途径。

本研究采用划痕实验、Transwell迁移实验、RT-PCR、Western Blot、免疫共沉淀、免疫荧光双染等方法，研究Corilagin对电离辐射后小胶质细胞激活的抑制作用和对放射性脑损伤神经生物学行为的调控作用。主要成果表现在以下几个方面：（1）成功构建小鼠放射性脑损伤模型,并检测到电离辐射后小胶质细胞释放的致炎因子增多。体内外实验证实Corilagin对电离辐射后小胶质细胞激活的抑制作用，检测致炎因子较单纯照射组降低。（2）体内外实验证实Corilagin对电离辐射后小胶质细胞激活的抑制作用，检测致炎因子较单纯照射组降低。（3）Corilagin对NF-κB信号通路的调控，通过NF-κB基因启动子荧光素酶报告基因实验，证实Corilagin对电离辐射诱导的NF-κB报告基因活性具有抑制作用。（4）证实PIDD与NEMO的相互作用。用表达PIDD-C- Flag、PIDD-CC- Flag的慢病毒转染小胶质细胞，接受电离辐射后采用免疫共沉淀检测到PIDD-C与PIDD-CC均与NEMO存在相互作用。（5）证实小胶质细胞中PIDD/NEMO修饰，NF-κB信号通路在炎症反应中发挥重要作用。靶向下调PIDD 基因能够抑制电离辐射后小胶质细胞的激活，减少致炎因子TNF-α，IL-1β的表达，抑制电离辐射后p65蛋白从细胞浆到细胞核的转位，同时抑制小胶质细胞的迁移能力。靶向上调PIDD-C和PIDD-CC基因电离辐射后致炎因子TNF-α，IL-1β的表达增高，同时使小胶质细胞的迁移能力增强。上述结果证实了我们提出的假说，Corilagin通过抑制PIDD-C/NF-κB通路，电离辐射后小胶质细胞的激活，抑制致炎因子的释放，抑制p65蛋白核转位，抑制小鼠小胶质细胞电离辐射后的迁移能力，抑制小鼠全脑照射后认知能力的下降。有望发现预防和治疗放射性脑损伤的新方法。