界面电子结构对金属硅化物薄膜性能的影响

金属硅化物薄膜是广泛应用于超大规模集成电路器件的重要电子材料。随着集成电路特征尺寸的不断减小，界面效应对薄膜性能的影响越发明显，导致了一些特殊的现象，目前对此还缺乏深入的研究。本项目拟运用程氏电子理论研究硅化铁、硅化钴薄膜界面电子结构对其性能和质量的影响，并利用界面效应设计和制备高性能的金属硅化物薄膜。