金属诱导纳米晶硅发光材料的研究
基本信息
批准号：50571050
项目类别：面上项目
资助金额：28.00
负责人：冯嘉猷
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李文治,唐西南,高阳,何悦,张雷,万李,蒋方丹,马轲,毕磊
关键词：
纳米晶硅金属诱导铒掺杂电致发光发光机制
结项摘要
实现硅基光电集成是人们长期以来一直追求的目标。但硅是一种间接能隙的半导体，带间复合光效率很低，作为光电子集成的核心元件即硅基发光二极管的性能还没有达到应用的要求。本项目应用物理气相沉积方法，制备金属诱导的富纳米晶硅二氧化硅（SRSO）薄膜，提高发光强度，并在其中加入稀土元素铒作为局域化的发光中心。研究金属诱导纳米晶硅生长的机理、nc-Si与SiO2界面态以及Er3+发光中心在SRSO体系中的原子配
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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