极紫外光刻模板制造工艺中力学参数的择取和优化

在摩尔定律的指引下，半导体工业大致每两年就跨上一个新的台阶。为了实现45纳米及更小节点器件的批量生产，需要新一代的光刻技术。作为下一代芯片工艺的领头羊，极紫外光刻技术被半导体业界普遍认为是现有光学光刻技术的接班人。在极紫外光刻的实现过程中，技术难度最大的环节之一是光刻模板的制造工艺。. 本项目研究的极紫外光刻模板的制造工艺是半导体业界学术研究最前沿的新课题。此研究将采用理论建模、计算仿真、实验分析相结合的技术线路，对极紫外光刻模板制造工艺中的力学参数进行选择和优化。建立光刻模板的理论方程；探索并研究出"等效模拟技术"和"子模型技术"，构建光刻模板制造工艺的三维非线性模型；并利用获得的实验数据对模型进行实验验证，修正模型重要参数。通过对其力学参数的优化，能够减少甚至完全消除光刻模板的变形，极大提高光刻工艺的最终精确度。为促进极紫外光刻的研究和发展、加速其工业实现提供有效的指导和参考价值。