极紫外投影光刻最有可能成为下个世纪初生产特征线宽小于0.1微米集成电路的技术,倍受?日两个集成电路生产大国的重视,近年来得到了飞速发展。本项目将在解决极紫外投影光刻中的诸多关键光学问题基础上,研制极紫外投影光刻原理装置,刻制特征线宽小于0.13微米的光刻图形,为进一步研制工业样机奠定基础。
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数据更新时间:2023-05-31
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