离子束刻蚀生成的自组织半导体量子点：形貌调控及发光性质研究

离子束溅射刻蚀法是一种新型的固体表面自组织量子点生长方法。自1999年首次报导以来，已经引起了国际上高度重视。本项目将系统研究该方法对所形成的半导体量子点阵列的形貌调控，包括量子点尺寸、尺寸分布和量子点阵列分布有序度，并研究这种半导体量子点的发光性质及相关的组份变化和原子构型。这些工作将为这种自组织量子点应用于新型纳米发光器件的研制提供技术支撑，同时提升我国在该研究领域的实力。