SOI衬底上SiGe异质结构的应变弛豫机制
基本信息
批准号：50502008
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：26.00
负责人：马通达
学科分类：
依托单位：有研工程技术研究院有限公司
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：邵贝羚,刘安生,杜风贞,冯泉林,屠海令
关键词：
应变硅SGOI应变弛豫
结项摘要
SOI衬底上SiGe（SiGe-on-insulator,SGOI）异质结作为可以获得应变硅的衬底材料是当前半导体材料科学领域关注的研究方向之一，对SGOI异质结应变弛豫机制的探索将为SGOI的制造工艺提供重要的科学依据。本项目拟研究在加热条件下体Si和SOI衬底上SiGe层的应变弛豫机制、SOI衬底对SiGe层应变弛豫的影响、SiGe层应变弛豫与SOI顶层Si应变产生的关系、SOI顶层Si应变产
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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