SOI衬底上SiGe异质结构的应变弛豫机制
基本信息
批准号：50502008
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：26.00
负责人：马通达
学科分类：
依托单位：有研工程技术研究院有限公司
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：邵贝羚,刘安生,杜风贞,冯泉林,屠海令
关键词：
应变硅SGOI应变弛豫
结项摘要
SOI衬底上SiGe（SiGe-on-insulator,SGOI）异质结作为可以获得应变硅的衬底材料是当前半导体材料科学领域关注的研究方向之一，对SGOI异质结应变弛豫机制的探索将为SGOI的制造工艺提供重要的科学依据。本项目拟研究在加热条件下体Si和SOI衬底上SiGe层的应变弛豫机制、SOI衬底对SiGe层应变弛豫的影响、SiGe层应变弛豫与SOI顶层Si应变产生的关系、SOI顶层Si应变产
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
其他相关文献
1
混凝土类材料SHPB实验中确定应变率的方法
混凝土类材料SHPB实验中确定应变率的方法
DOI：
发表时间：
2
A Fast Algorithm for Computing Dominance Classes
A Fast Algorithm for Computing Dominance Classes
DOI：
发表时间：2016
3
基于石墨烯复合薄膜的应变传感器及性能分析
基于石墨烯复合薄膜的应变传感器及性能分析
DOI：10.11817/j.issn.1672-7207.2020.03.006
发表时间：2020
4
含瓦斯煤弹性应变能计算新方法研究
含瓦斯煤弹性应变能计算新方法研究
DOI：
发表时间：2019
5
横观各向同性岩石蠕变性质与本构模型研究
横观各向同性岩石蠕变性质与本构模型研究
DOI：10.11779/CJGE201807008
发表时间：2018
马通达的其他基金
批准号：50872013
批准年份：2008
资助金额：34.00
项目类别：面上项目
相似国自然基金
1
绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究
批准号：60676005
批准年份：2006
负责人：成步文
学科分类：F0401
资助金额：30.00
项目类别：面上项目
2
晶格失配异质外延层中应变弛豫机理的研究
批准号：69576028
批准年份：1995
负责人：范缇文
学科分类：F0405
资助金额：7.00
项目类别：面上项目
3
应变硅/硅锗微细特征单元结构失稳及应变弛豫研究
批准号：50901057
批准年份：2009
负责人：马飞
学科分类：E0103
资助金额：24.00
项目类别：青年科学基金项目
4
基于奇特焓弛豫特征过冷液体结构异质的研究
批准号：51402156
批准年份：2014
负责人：张艳飞
学科分类：E0201
资助金额：25.00
项目类别：青年科学基金项目