氮化镓基LED荧光衬底－掺杂β-Ga2O3晶体的生长与性能研究

-Ga2O3 晶体是一种新型透明氧化物导体, 并且与GaN的晶格失配率仅约为5%，如用?-Ga2O3晶面直接氮化则可实现与GaN晶格的完全匹配，是一种有发展前途的新型GaN基蓝－紫光LED衬底材料。目前流行的白光LED的发光结构都是利用LED和萤光体的组合，日亚化学(Nichia)利用蓝光LED照射一层YAG萤光物质以产生与蓝光互补的555nm波长黄光的组合，而豊田合成(Toyoda Gosei)与东芝所共同开发的白光LED，则采用紫外光LED与萤光体组合的方式。本项目首次提出通过稀土离子或过渡金属离子掺杂来获得一种新型GaN基LED的荧光衬底材料。采用这种新型荧光衬底来制作白光LED，其原理是利用荧光衬底所发的光与LED所发的光的组合而成白光，不再需要传统的磷光体, 将更节省能源、降低制造成本及复杂度。