空肠弯曲菌毒力特征及其畜禽腹泻致病机制的研究

研究了用Ce(+)离子注入硅，退火后形成的射程末端位错环作为点缺陷探测器的特性。用透射电镜平面成象确定位错环捕获点缺陷的总量。实验表明800℃30分钟退火可形成稳定的位错环埋层，并且有温度稳定性。用此法定量测量了低能B注入引入的间隙净通量。借助二次离子质谱测量扩散程度，研究了B标记埋层用于点缺陷探测的性能。用上述两种探测方法，通过对间隙通量的性能。用上述两种探测方法，通过对间隙通量的监测，证实了不同注入阶段引入的损伤的退火时，哪一个损伤处首先形成二次缺陷，它们将从另一损伤中吸附Si间隙，并影响那里二次缺陷的形成。此外还分析了预非晶中二次缺陷与点缺陷互作用机制。以上工作将使人们更好地了解器件制作中点缺陷的运动规律，并指导离子束缺陷工程的设计。