相变抑制法提高电压敏陶瓷工作稳定性的研究
基本信息
批准号：59372092
项目类别：面上项目
资助金额：5.50
负责人：陈志雄
学科分类：
依托单位：广州大学
批准年份：1993
结题年份：1995
起止时间：1994-01-01 - 1995-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：黄卓和,何爱琴,冯显烁,石滨
关键词：
电压敏陶瓷
结项摘要
在通常的ZnO-Bi2O3-Sb2O3系压敏陶瓷中，掺入Ba添加剂，并控制其在一定的条件下生成偏锑酸钡（BaSb2O6）晶界相，研制成ZnO-Bi2O3-Sb2O3系新的压敏陶瓷系列。由于BaSb2O6晶相结构的紧密性及热稳定性，以及高阶Sb（5+）离子的形式，使长期电负荷下工作稳定性有很大改进，并由于Bi2O3相与BaSb2O6相共存于晶界，使晶界相变受到抑制，而使制备工艺变得易于控制。试样性能指标为：直流荷电率达0.9及以上，8/20μs冲击电流密度达2500A/cm（2），漏电流、非线性系数及残压比性能均为优等水平。发现过低的Bi、Ba含量和过高的退火处理温度，会促使二阶填隙锌离子Zn（2+）的生成，据此调整控制配方及工艺，抑制Zni（2+）的形成，则长期电负荷下工作稳定性又进一步改善。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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