HgCdTe中重要杂质的红外光致发光研究
基本信息
批准号：69876042
项目类别：面上项目
资助金额：11.90
负责人：常勇
学科分类：
依托单位：中国科学院上海技术物理研究所
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：褚君浩,刘志衡,陈敏挥,唐文国,黄志明,陈昌盛
关键词：
杂质态光致发光碲镉汞
结项摘要
窄禁带半导体的杂质缺陷问题一直是国际学术界十分关注的重要学术问题,它对于红外探测器，特别是焦平面探测器阵列的制备起着决定性的作用。本课题选择人为控制掺杂的样品，采用红外光致发光、红外椭圆偏振和红外光谱测量以及电学测量等方法，结合低温、磁场等条件，围绕V族等在HgCdTe器件中影响较大的重要杂质展开研究。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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