下一代超高速应变硅MOS器件与集成电路基础研究
基本信息
批准号：60476017
项目类别：面上项目
资助金额：26.00
负责人：许军
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈培毅,张伟,严利人,梁仁荣,王玉东,熊小义,鲁亚诗,陈巍巍,王飞
关键词：
应变硅MOSFET设计优化迁移率超高速
结项摘要
在现有的生产加工设备条件和现有的MOS器件特征尺寸下，如何通过探索新型器件材料、研究新型器件结构、开发新型器件工艺，不断提高器件与集成电路的性能，无论是对于微电子学与集成电路技术的长远发展，还是对于我国微电子产业规避巨额投资风险，实现跨越式发展，都具有十分重要的学术意义和应用价值。本课题首先拟采用现有的超高真空化学气相淀积（UHV/CVD）设备来研究制备弛豫的SiGe过渡层，在此基础上将进一步研究
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
其他相关文献
1
硬件木马:关键问题研究进展及新动向
硬件木马:关键问题研究进展及新动向
DOI：
发表时间：2018
2
卫生系统韧性研究概况及其展望
卫生系统韧性研究概况及其展望
DOI：10.16506/j.1009-6639.2018.11.016
发表时间：2018
3
钢筋混凝土带翼缘剪力墙破坏机理研究
钢筋混凝土带翼缘剪力墙破坏机理研究
DOI：10.15986/j.1006-7930.2017.06.014
发表时间：2017
4
滚动直线导轨副静刚度试验装置设计
滚动直线导轨副静刚度试验装置设计
DOI：
发表时间：2017
5
吉林四平、榆树台地电场与长春台地磁场、分量应变的变化分析
吉林四平、榆树台地电场与长春台地磁场、分量应变的变化分析
DOI：10.14075/J.gg.2016.11.015
发表时间：2016
许军的其他基金
批准号：30471481
批准年份：2004
资助金额：20.00
项目类别：面上项目
批准号：61502488
批准年份：2015
资助金额：20.00
项目类别：青年科学基金项目
批准号：60477008
批准年份：2004
资助金额：7.00
项目类别：面上项目
批准号：31802005
批准年份：2018
资助金额：25.00
项目类别：青年科学基金项目
批准号：51003028
批准年份：2010
资助金额：19.00
项目类别：青年科学基金项目
批准号：81172775
批准年份：2011
资助金额：14.00
项目类别：面上项目
批准号：71673126
批准年份：2016
资助金额：48.00
项目类别：面上项目
批准号：60636010
批准年份：2006
资助金额：200.00
项目类别：重点项目
批准号：30100154
批准年份：2001
资助金额：18.00
项目类别：青年科学基金项目
批准号：41501500
批准年份：2015
资助金额：20.00
项目类别：青年科学基金项目
批准号：81872975
批准年份：2018
资助金额：57.00
项目类别：面上项目
相似国自然基金
1
硅基芯-壳结构纳米线MOS器件基础研究
批准号：61274096
批准年份：2012
负责人：何进
学科分类：F0405
资助金额：82.00
项目类别：面上项目
2
新型MOS功率器件和智能功率集成电路
批准号：69136010
批准年份：1991
负责人：陈星弼
学科分类：F0404
资助金额：60.00
项目类别：重点项目
3
新型围栅硅纳米线MOS器件的涨落性与可靠性研究
批准号：61106085
批准年份：2011
负责人：王润声
学科分类：F0404
资助金额：30.00
项目类别：青年科学基金项目
4
硅基InGaAs双栅MOS器件及可靠性研究
批准号：61674168
批准年份：2016
负责人：刘洪刚
学科分类：F0405
资助金额：60.00
项目类别：面上项目