新型MOS功率器件和智能功率集成电路
基本信息
结项摘要
提出“复合缓冲层耐压结构”获美国及中国发明专利及国家发明奖。此结构使MOS类器件耐压层导通电阻与击穿电压关系打破过去的极限理论。又发明了“异型掺杂岛”和“表面耐压层新结构”，分别可使纵向及横向器件的击穿电压提高、导通电阻下降。且横向器件可以和CMOS及BiCMOS工艺兼容。做出了250V/1A高压LD SENSFET及含此器件的智能功率集成电路。完成了1，1GBT的纲络模型和闭锁特性的近似表达式及分析设计用软件及BSIT的CAD程序。制成关断能力为150A/cm(2)的MCT及三种新结构EST（相当于国外九十年代初水平）。做出了60V/45A及250V/35A的RMOST。改进了SDB工艺并完成了SDB检测方法。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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