高强度聚噻吩导电薄膜的电化学合成及功能化研究

基本信息
批准号:29574163
项目类别:面上项目
资助金额:18.00
负责人:薛奇
学科分类:
依托单位:南京大学
批准年份:1995
结题年份:1998
起止时间:1996-01-01 - 1998-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:薛奇,石高全,金士,周亮,吉敏,叶威,余波,嵇根定,陆云
关键词:
电化学聚合聚噻吩导电高分子
结项摘要

利用噻吩与三氟化硼--乙醚体系配位作用,在金属电极表面进行电位聚合,制得高度各向异性和导电薄膜。探索了导电聚噻吩薄膜器件化,制得了全有机二极管,智有开关、离子筛等器件,用电化学方法制得导电聚吡咯与磁性四氧化三铁的超薄层复合膜,该膜具有超顺磁性,且可直接镀膜,且有电磁屏蔽作用,研究成果发表论文8篇,待发表5篇,申请专利一项,引起美国军方关泣。应邀去美国室早有关研究所作学术的报告三次。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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