应力对FeCoSiB非晶磁弹性薄膜磁特性影响的研究
基本信息
批准号：50501004
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：27.00
负责人：彭斌
学科分类：
依托单位：电子科技大学
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：兰中文,谢建良,蒋洪川,文岐业,汤如俊,陈志川
关键词：
磁畴应力微磁学非晶磁弹性薄膜
结项摘要
本项目针对非晶磁弹性薄膜中应力对其磁特性的显著影响作用及由此带来的应力相关效应，拟从理论上定量地建立较为符合实际的大应力/应变情形下非晶磁弹性薄膜的微磁学唯象模型，研究磁特性如Hc、Br、畴结构、反磁化过程与应力的内在联系，以及薄膜材料参数对应力相关效应的影响规律。同时，通过设计"基片/叉指电极/PZT薄膜/FeCoSiB非晶磁弹性薄膜" 结构的多层膜验证性实验，研究FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的磁特性与外加应力的变化关系，通过磁畴结构的分析，将外加应力、磁特性、磁畴结构有机联系起来，以验证微磁学计算结果，并完善微磁学计算，最终获得对非晶磁弹性薄膜中应力作用及相关效应的深刻理解，支持基于应力相关效应的非晶磁弹性薄膜材料制备及薄膜器件研制。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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