用于电子器件的Cu、Ag薄膜的氧化与络合反应特殊规律及机制研究

对电子器件用Cu、Ag薄膜的的氧化与络合反应特殊规律及机制进行系统研究，并给出氧化与络合反应对Cu、Ag膜电学特性的影响规律。建立氧化与络合速度评价的薄膜电阻测量与透射光谱分析技术，实现反应动力学规律及膜厚与环境参数的影响规律的实验测量；采用异质元素标志法与传统单维元素分布分析相结合的方法，对络合微观过程进行研究；建立厚产物膜化学位梯度与薄产物膜隧穿模型分析固体化学反应过程，揭示所体现的不同规律与机制；给出环境湿度对反应的影响规律并揭示机理。该研究对了解铜、银薄膜的氧化与络合规律的特殊性、对应机制及导致的电学性能的变化规律具有重要科学意义，并可为相关电子器件的失效分析、寿命评估以及功能膜制备的工艺选择提供指导。