一种新的硅漂移探测器结构及工作模式研究

针对能量低于1keV的软X射线及蓝紫光的探测，本项目提出研究一种新的硅漂移探测器结构及工作模式，其主要特点是：漂移-耗尽区较薄，贡献产生电流的体积较小，漏电流较小，噪声较低；射线信号正面入射；采用单面抛光的普通单晶硅及单面工艺，没有正面与背面图形套刻对准的问题，也没有工艺、测试过程中背面图形结构容易遭受损坏的问题，工艺难度及成本较低；探测器制作与标准CMOS工艺兼容，使得探测器与后续电路单片集成成为可能。另外，本项目还提出研究将这种硅漂移探测器与一个盖格APD组合而得到的一种新的雪崩漂移光探测器，将它用作硅光电倍增探测器的基本单元，预期能有效解决硅光电倍增探测器的探测效率及动态范围较小，且二者不能兼顾的问题。