多层膜复合栅铁电场效应晶体管特性研究

提高铁电存储器的保持力,降低漏导电流是目前该领域国际上亟待解决的难题。本项目针对这一目标进行了Si基铁电场效应晶体管探索研究。主要包括：优化准分子激光工艺条件，淀积高质量铁电多层膜结构，制备了具有一定存储特性和保持力的FFET原型器件。通过微观分析和输出性质测量、研究了多层结构界面、电极与的电薄膜接触对铁电性能、漏电流特性的影响。对FFET结构的电特性、读写特性、保持特性以及疲劳机制进行了测量和探讨。本工作在铁电薄膜生长、微结构特性对铁电性能的影响、FFET设计与性能表征方面均取得了突破性进展。为铁电场效应晶体管性能的改善和进一步提高提供了有意义的实验依据。