MOCVD制备下一代MOSFET用栅介电材料的研究
基本信息
批准号：60276020
项目类别：面上项目
资助金额：25.00
负责人：李爱东
学科分类：
依托单位：南京大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：于涛,吴迪,吕鹏,陆旭兵,凌惠琴,邵起越,刘文超,王毅君
关键词：
栅介电材料化学气相沉积技术
结项摘要
集成电路的迅猛发展使传统的二氧化硅栅介电材料已趋近其使用极限，寻找可靠的替代材料成为半导体行业迫在眉睫的问题。本项目采用MOCVD方法和新型无碳前体，研究氧化镧高介电膜的生长机理，提出掺氮、掺硅在改进界面稳定性、降低漏电流方面的理论机制，发现1至2种有前景的栅介电材料，发展与半导体工艺兼容的MOCVD栅介电膜制备技术。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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