MOCVD制备下一代MOSFET用栅介电材料的研究
基本信息
批准号：60276020
项目类别：面上项目
资助金额：25.00
负责人：李爱东
学科分类：
依托单位：南京大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：于涛,吴迪,吕鹏,陆旭兵,凌惠琴,邵起越,刘文超,王毅君
关键词：
栅介电材料化学气相沉积技术
结项摘要
集成电路的迅猛发展使传统的二氧化硅栅介电材料已趋近其使用极限，寻找可靠的替代材料成为半导体行业迫在眉睫的问题。本项目采用MOCVD方法和新型无碳前体，研究氧化镧高介电膜的生长机理，提出掺氮、掺硅在改进界面稳定性、降低漏电流方面的理论机制，发现1至2种有前景的栅介电材料，发展与半导体工艺兼容的MOCVD栅介电膜制备技术。
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
其他相关文献
1
多能耦合三相不平衡主动配电网与输电网交互随机模糊潮流方法
多能耦合三相不平衡主动配电网与输电网交互随机模糊潮流方法
DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.190276
发表时间：2020
2
基于LS-SVM香梨可溶性糖的近红外光谱快速检测
基于LS-SVM香梨可溶性糖的近红外光谱快速检测
DOI：
发表时间：
3
组蛋白去乙酰化酶在变应性鼻炎鼻黏膜上皮中的表达研究
组蛋白去乙酰化酶在变应性鼻炎鼻黏膜上皮中的表达研究
DOI：10.16066/j.1672-7002.2021.06.013
发表时间：2021
4
混凝土SHPB试验技术研究进展
混凝土SHPB试验技术研究进展
DOI：10.3969/j.issn.1002-3550.2015.06.010
发表时间：2015
5
贵州织金洞洞穴CO2的来源及其空间分布特征
贵州织金洞洞穴CO2的来源及其空间分布特征
DOI：
发表时间：2016
李爱东的其他基金
批准号：10974085
批准年份：2009
资助金额：40.00
项目类别：面上项目
批准号：50672036
批准年份：2006
资助金额：30.00
项目类别：面上项目
批准号：51571111
批准年份：2015
资助金额：62.00
项目类别：面上项目
相似国自然基金
1
下一代MOSFET用高介电系数栅介质材料的研究
批准号：60576023
批准年份：2005
负责人：刘治国
学科分类：F0406
资助金额：26.00
项目类别：面上项目
2
MOCVD制备BaTiO3铁电薄膜的研究
批准号：69378024
批准年份：1993
负责人：王弘
学科分类：F0509
资助金额：6.00
项目类别：面上项目
3
用MOCVD方法生长GaAs／Si超晶格材料
批准号：68880601
批准年份：1988
负责人：楼立人
学科分类：F0401
资助金额：6.00
项目类别：专项基金项目
4
La基稀土高介电系数(k)栅介质材料的同步辐射研究
批准号：10974191
批准年份：2009
负责人：戚泽明
学科分类：A2202
资助金额：40.00
项目类别：面上项目