一种细长管内表面离子注入新技术及其机理研究- - - - 射频放电/高压脉冲直接耦合的内源/正偏压等离子体离子注入

基本信息
批准号:10575025
项目类别:面上项目
资助金额:35.00
负责人:田修波
学科分类:
依托单位:哈尔滨工业大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:张晓东,陈建明,黄永宪,崔江涛,韦春贝
关键词:
离子注入内等离子体源内表面正偏压
结项摘要

长细管筒(如枪炮身管)内表面离子注入处理是表面改性领域一个较为棘手的问题。上世纪80年代提出的等离子体离子注入概念为内表面注入提供了一种新思路:管筒内部扩散进入或内部产生等离子体,管筒施加负偏压、吸引离子获得注入效应。然而经历了"空筒、中心地电极、内源+中心地电极"等几个发展阶段后,由于硬件原理限制,结果仍很难处理较细的管筒。本项目提出了一种新的技术概念:基于内源和中心正电极结构的内表面离子注入。管筒不再接负,而是接地,通过中心电极接正排斥离子获得内壁注入效应。为了获得内源,管筒内部中心电极不仅连接高压,同时也要耦合射频功率产生等离子体,这虽然增加了硬件难度,但可以有效减小可处理管筒的内径,可处理内径有望达到1cm以下。针对这样的物理概念,本项目的研究内容包括:射频/高压的电学隔离与耦合、细小管筒条件下射频放电的规律、正向脉冲条件下稳定工作的条件、等离子体鞘层的形成及其扩展动力学等等。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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