RF等离子体增强脉冲激光沉积o-BN薄膜生长机理研究
基本信息
批准号：10647140
项目类别：专项基金项目
资助金额：2.00
负责人：李卫青
学科分类：
依托单位：天津大学
批准年份：2006
结题年份：2007
起止时间：2007-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：
关键词：
脉冲激光沉积RF等离子体氮化硼薄膜生长机理
结项摘要
由于氮化硼（BN）薄膜具有高硬度、高热导率、好的化学稳定性和抗离子轰击能力、低负电子亲和势（4.5ev）、良好的电子发射特性等许多优良特性，已成为人们研究和应用的热点。正交晶结构的o-BN（又叫E-BN）,是一种新的BN的超硬结构，带隙宽度为5.5eV，又是一种宽带隙材料，因此象c-BN和w-BN一样，它具有广泛的应用前景。本项目的主要研究内容是依据前期工作的试验数据对o-BN薄膜的生长机理进行较
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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