GaN稀磁半导体的离子注入制备和特性研究
基本信息
批准号：10205010
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：27.00
负责人：石瑛
学科分类：
依托单位：武汉大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：周正国,傅德君,黎明锴,李承斌,王恩博
关键词：
氮化镓稀磁半导体离子注入
结项摘要
稀磁半导体兼具半寻导体和磁性材料的优良特性但目前对GaN基稀磁半导体还罕有研究，困难在于现有的稀磁半导体制备工艺难以用于GaN外延层，通过探索合适的注入及退火条件，实现GaN基稀磁半导体的制备；通过研究注入样品的磁、电及光学特性，弄清GaN其稀磁半导体的物理机制，为GaN在磁电子学的新应用提供依据。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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