p型GaN表面透明低阻欧姆接触的离子注入制备和特性研究

GaN材料和器件的研究开发具有巨大的应用前景，基于GaN开发全固态半导体白光照明将带来一场照明革命。但是现有GaN基LED的发光功率和输出效率还不足以满足作为固态照明光源的要求，这是因为在p型GaN上实现透明低阻欧姆接触仍是未解决的科学难题。本研究在用MBE方法制备出的高质量p-GaN上制备Ni/Au金属电极，通过对其进行Be、Mg、Zn等Ⅱ族元素和Pt、Re等高功函数金属的离子注入，探索金属/p-GaN接触的作用机制，促进低阻欧姆接触并提高电极的光透射率，实现p-GaN表面高透光率、低电阻率欧姆接触的离子注入制备，研究揭示电极材料与p-GaN接触的机制和特性、提高GaN基LED的发光亮度。在此基础上开展p-GaN表面掺杂铟氧化物的Ni、Cu、Zn、Ga等元素的离子注入掺杂研究，促进透明导电氧化物与p-GaN材料的低阻欧姆接触，为制备高效率GaN基LED提供新的途径和科学依据。