1.55μm高速（10G）AlGaInAs/InP半导体激光器的研制
基本信息
结项摘要
在60476025项目的预研和探索的基础上，进一步开展对高速半导体激光器的设计理论、材料研制、芯片制作、微波管壳封装等方面的研究，研制出调制速率达到10Gbit/s的1.55μm高速AlGaInP/InP半导体激光器。通过该项目的研究，为我国高速光通讯系统和雷达信号传输系统提供必需的核心器件，以及制造工艺和理论研究成果。
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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