半导体光电子器件高频特性的基础研究
基本信息
批准号：60536010
项目类别：重点项目
资助金额：180.00
负责人：祝宁华
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2005
结题年份：2009
起止时间：2006-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：高建军,冯博学,谢亮,于丽娟,刘宗顺,伞海生,刘超,张尚剑,温继敏
关键词：
高频响应光通信半导体光电子器件非线性测试
结项摘要
本项研究将围绕高速半导体光电子器件的测试和优化设计中的一些基础问题展开，主要研究高速光电子器件频率响应非线性特性和器件内部微波与光波相互作用的机理；研究如何将微波网络分析仪测试与小信号测试方法相结合，解决小信号和大信号测试方法的关键技术问题，实现光电子器件高频响应特性的无损伤测试；解决与提高器件高频特性有关的器件结构优化设计和封装技术基础问题。.随着光通信速率的不断提高和带宽的不断增宽，光电子器件
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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