Si基光电子学关键器件基础研究
基本信息
批准号：60336010
项目类别：重点项目
资助金额：200.00
负责人：王启明
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2003
结题年份：2007
起止时间：2004-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：余金中,黄美纯,葛惟昆,吴健,成步文,陈松岩,左玉华,罗丽萍,张建国
关键词：
光源与光开关Si基材料能带工程
结项摘要
发展Si基光电子学为长远目标，研究突破Si天然材料间接带结构和非极性立方反演对称的固有局限，为研制出人工优化改性的高效光源和高速光开关，为Si基光子学的发展和微电子芯片光互连的实现打下坚实的基础。.以一维－三维的纳米结构长周期量子阱、超晶格为研究核心，运用能带工程实现对Si材料的介观改性，大幅度提高发光效率和pockel电－光效应。.理论框架将建立在第一性量子力学基础上，对异质介观结构进行优化设计
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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