快速软恢复SiGeC/Si异质结功率二极管的研究

基于SiGeC/Si异质结构理论分析，建立SiGeC/Si功率二极管器件模型和工艺模型，并运用于器件模拟软件MEDICI和工艺模拟软件SUPREM-4中，为新器件和工艺设计提供可靠的模拟仿真手段；针对电力电子技术对功率二极管快速软恢复特性愈来愈高的要求，提出SiGeC/Si快速软恢复功率二极管器件的新结构，通过模拟分析SiGeC/Si异质结材料结构对器件各电参数的影响因素，尤其是通过Ge含量调节和C含量的补偿，寻找综合参数优化的器件结构与工艺参数，实现优异的存贮电荷Q、通态电压Vf和反向漏电流Ir 折衷，得到优良的快速软恢复特性；通过工艺模拟手段探索合适的掺碳工艺和器件工艺条件，制定出简单易行的SiGeC/Si异质结功率二极管工艺流程和实施方案。该研究将对利用SiGeC/Si异质结构制作高性能功率器件和功率集成电路开辟新的途径。