快速软恢复SiGeC/Si异质结功率二极管的研究
基本信息
批准号：50477012
项目类别：面上项目
资助金额：24.00
负责人：高勇
学科分类：
依托单位：西安理工大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：余明斌,杨媛,陈曦,马丽,安涛,张如亮
关键词：
快速软恢复功率二极管SiGeC/Si异质结器件模型与工艺模型
结项摘要
基于SiGeC/Si异质结构理论分析，建立SiGeC/Si功率二极管器件模型和工艺模型，并运用于器件模拟软件MEDICI和工艺模拟软件SUPREM-4中，为新器件和工艺设计提供可靠的模拟仿真手段；针对电力电子技术对功率二极管快速软恢复特性愈来愈高的要求，提出SiGeC/Si快速软恢复功率二极管器件的新结构，通过模拟分析SiGeC/Si异质结材料结构对器件各电参数的影响因素，尤其是通过Ge含量调节和C含量的补偿，寻找综合参数优化的器件结构与工艺参数，实现优异的存贮电荷Q、通态电压Vf和反向漏电流Ir 折衷，得到优良的快速软恢复特性；通过工艺模拟手段探索合适的掺碳工艺和器件工艺条件，制定出简单易行的SiGeC/Si异质结功率二极管工艺流程和实施方案。该研究将对利用SiGeC/Si异质结构制作高性能功率器件和功率集成电路开辟新的途径。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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