MIG磁头所用溅射合金薄膜材料的研究
基本信息
批准号：58870055
项目类别：面上项目
资助金额：2.50
负责人：方光旦
学科分类：
依托单位：中国科学院计算技术研究所
批准年份：1988
结题年份：1990
起止时间：1989-01-01 - 1990-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：宋庆山,熊鑫恩
关键词：
高记录密度高BS合金溅射膜磁头极尖饱和
结项摘要
研究了亚稳相和界面作用下的磁化组态，包括面心立方铁和猛，以及铁-铜，铁-金，铁-锑，和钴-猛等多层膜的外延膜的磁性。同时还发展的基于第一原理计算决定磁交换作用大小，并进而计算磁性相变的方法，计算了多层膜的居里点随厚度的变化。在磁各向异性研究中，也就一维情况，讨论了轨道关联的重要影响。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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