GaN基薄膜发光体系界面结构与物性的研究
基本信息
批准号：20271037
项目类别：面上项目
资助金额：22.00
负责人：许并社
学科分类：
依托单位：太原理工大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：梁建,郭瑞萍,翟封振,余愿,全笑菊,赵小云
关键词：
光电材料物性界面结构
结项摘要
本项目研究GaN基薄膜发光体系异质结的界面结构与其物性间关系。界面处由于成份、结构和性质的“陡峭性”，严重影响着器件的发光特性。本项目在用MOCVD法合成GaN基半导体外延片基础上，研究各层间晶体、原子、电子等超微观结构与Schottky势垒、耐高温性、发光特性之间的关系。为开发高亮度蓝绿LED、蓝绿光激光器和场效应管提供可靠的理论依据和实验数据。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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