新型电致电阻材料的物理机理

近年来，非挥发巨电致电阻材料（CER）及其物理机制的研究引起了广泛的关注，它不.仅涉及一些重要的基础科学问题，而且具有很好的应用前景，是新一代信息存储技术（电阻.存储器）的基础。我们拟研究非挥发电致电阻材料的设计、制备和表征，并研究非挥发电致.电阻效应的物理机制。通过本项目的研究，揭示非挥发CER 效应的物理机制，揭示量子尺寸.效应、界面效应等对体系电子输运性质的影响，力求在原子、电子等不同层次深刻认识非挥.发CER 效应的物理根源，揭示决定材料电阻变化的触发电压/电流、稳定性等的关键因素及.其调控途径，为电阻型信息存储技术的研究奠定基础，为下一代信息技术的发展提供理论依据。

本项目研究了复杂氧化物界面二维电子液体的光电协同场效应、NiO电阻开关效应中Ni细丝的演化及磁电耦合、HfO2体系RRAM器件阻变效应动态过程、WOx薄膜导电路径形成/演变过程的实时观测、铁电极化对BiFeO3异质结器件电输运行为和光电特性的调制、异质阻变存储器中不同类型导电细丝的表征及特性、TiOx纳米线器件的记忆二极管行为与多维突触可塑性、阳离子空位过剩于阴离子空位在NiO双极性忆阻行为中的作用、NiO纳米点的阻变特性等，观察到了一些新的现象，得到了阻变效应的规律，揭示了阻变效应中的一些机制，为电阻型信息存储技术的研究奠定了基础。