用于电阻型存储器的电致阻变材料的制备和存储性能研究

电阻型随机存储器（RRAM）是基于CER效应提出的新一代非易失性随机存储器，它具有很多其他类型的随机存储器无法比拟的优越性，将会成为下一代核心内存，已经引起世界很多大公司的大量投入与竞争。目前，有关研究工作还处于起步阶段，基础研究尚未成熟。我们拟开展NiO、Cu2O、TiO2等用于RRAM的电致阻变材料的相关研究，从材料的制备和原型器件的制作入手，利用FIB和纳米探针切割转移薄片器件，在TEM中利用纳米探针对器件施加电压脉冲前后，原位表征这些氧化物材料以及界面的微结构，从而揭示它们产生CER效应的物理机制。另外，利用FIB技术将器件切割截面，通过不同条件退火改变其氧含量，有效地规避其它因素的影响，从而揭示化学配比对其存储性能的调制作用。