超晶格解理面上应变自组织纳米结构生长和光电性质研究

在纳米图形模版上应变自组织生长纳米结构是获得均匀、有序和位置可控的量子点和量子线的一个有效办法，是应变自组织纳米结构获得实际应用的关键。申请人通过在超晶格解理面纳米图形模板上应变自组织生长半导体纳米结构，可以利用分子束外延设备对超晶格结构的精确控制来实现对应变自组织量子点和量子线的位置、尺寸和形状的控制，研究解理面上自组织纳米结构的生长规律和光电特性，及其与超晶格结构参数的关系。利用超晶格解理面本身特有的量子阱内电极（可延伸到应变自组织纳米结构附近），探索这种新型纳米结构在单光子源等方面的应用。