掺锰InGaN稀磁与中间带半导体薄膜的制备与特性

掺锰InGaN材料兼具"稀磁半导体"和"中间带半导体"特性，可分别用于制备自旋电子器件和第三代高效太阳能电池等器件。低温生长是制备高质量掺锰InGaN材料的关键技术。本项目采用电子回旋共振－等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）低温生长方法，分别以氮等离子体和金属有机源为氮源和金属源，以蓝宝石、玻璃等为衬底，借助于多种测试分析手段，研究以InGaN半导体材料为基体，以Mn为磁性元素的InGaN稀磁半导体和中间带半导体薄膜的低温生长和磁光电等特性，以期获得高In组分和含有高浓度Mn磁性离子的InGaN薄膜，不仅要获得在室温下具有铁磁性的掺锰InGaN稀磁半导体材料，也要获得具有优良光电特性的掺锰InGaN中间带半导体材料。为将来研制开发新型的自旋电子器件和中间带高效太阳能电池等器件奠定基础。