ZnO稀磁半导体薄膜的制备与相关器件研究

本项目旨在宽禁带半导体ZnO内掺入过渡族磁性离子（Co、Mn等），制备出ZnO稀磁半导体薄膜和相关器件。主要使用直流／RF磁控溅射（Sputter）、激光脉冲沉积（PLD）设备，制备具有室温磁性的ZnO稀磁半导体薄膜材料；研究二维层状ZnO稀磁半导体薄膜和多层稀磁半导体三明治式薄膜的磁、电特性；开发出与当前半导体工艺兼容的ZnO稀磁半导体工艺流程；为研制适用于ZnO基的、具有高－K栅介质／金属栅结构的自旋场效应晶体管奠定基础。本研究将会提升我国在自旋电子器件相关的材料、结构、工艺等方面的研究水平，研究成果在集成电路方面有着广泛的应用前景和极大的应用价值。