源栅对置自对准GaAsMESFET研制

GaAs有负的微分迁移率区，短沟道MESFET工作时在沟道中形成高场畴。以此对源栅对置MESFET进行了直流、功率和高频特性分析，设计和制作。一种全离子注入器件用高能硅埋层注入结合低剂量氧注入技术，由SI-GaAs制备出一个SI/n（+）埋层结构。一种用MOCVD在n（+）-GaAs上生长非掺SI-GaAs隔离层，辅以氧叠加高能注入使其纵向耐压提高。硅选区注入在SI-GaAs层上形成沟道区和漏区欧姆接触。W掩敝、叠加硅高能注入形成贯通隔离层的导电通道。用白光快速两步退火使源导电区电阻降低。每器件单元多条铝栅，双导电沟道使跨导和功能密度增加，双漏改善散热。成熟的离子注入技术使新结构器件上艺简单，便于集成向微波功率器件发展及测量的器件特性，优于国外发表的结果。