非标准逻辑数字电路的衬底噪声建模及验证技术研究

基本信息
批准号:60971066
项目类别:面上项目
资助金额:38.00
负责人:朱樟明
学科分类:
依托单位:西安电子科技大学
批准年份:2009
结题年份:2012
起止时间:2010-01-01 - 2012-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:刘彦明,刘帘曦,吴晓鹏,佟星元,赵磊,钟波,钱利波
关键词:
非标准逻辑CMOS模型射频衬底噪声
结项摘要

本项目针对混合信号片上系统及射频前端SOC的设计应用,基于SMIC 0.13μm和0.18μm CMOS工艺,获得用于硅衬底噪声耦合分析的集成化Z参数衬底宏模型,建立高频衬底噪声耦合传输/衰减机理、数值解析模型和高层次仿真模型,用于硅衬底噪声耦合的前期仿真及抑制。比较研究异步NCL逻辑、CSL(电流型逻辑)、CBL(平衡电流型逻辑)和电流模逻辑(CML)等非标准逻辑数字电路和传统标准CMOS逻辑的衬底噪声注入效应,定量验证非标准逻辑电路在微处理器中的衬底噪声幅值。以8位1GS/s A/D转换器、900MHz模拟锁相环和2.4GHz LC-VCO设计作为高频衬底噪声耦合验证电路,研究非标准逻辑数字电路的衬底噪声耦合对CMOS高频电路性能的影响,最终获得能有效改善衬底噪声耦合效应的非标准逻辑形式。本项目将为高性能混合信号SOC 及射频前端SOC的高信噪比设计奠定必要的理论和实验基础。

项目摘要

本项目针对高速混合信号集成电路及射频前端SOC设计,获得了用于硅衬底噪声耦合分析的集成化Z参数衬底宏模型,建立了SMIC深亚微米重掺杂衬底CMOS工艺的高频衬底噪声耦合传输/衰减机理、数值解析模型和高层次仿真模型,用于硅衬底噪声耦合的前期仿真。比较研究非标准逻辑数字电路和传统标准CMOS逻辑的衬底噪声注入效应,以环形振荡器和伪随机数计数器为基本验证对象,定量验证非标准逻辑电路在数字集成电路中的衬底噪声幅值,并研究非标准逻辑数字电路的衬底噪声耦合对CMOS高频/高速模拟集成电路性能的影响,最终获得了能有效改善衬底噪声耦合效应的非标准逻辑形式CML和异步逻辑。.本项目将衬底噪声宏模型和CML逻辑用于指导GHz+采样率的D/A转换器、2.4GHz RF IC、高速异步电路单元等。本项目的研究内容侧重于采用CML逻辑的高速混合信号SOC和高速低衬底噪声的异步电路设计。本项目发表论文34篇,其中SCI论文16篇,EI论文16篇。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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