等离子体氧化Zn3V2(V:N,P,As)制备高质量p-型ZnO薄膜及ZnO p-n结发光器件研究

用等离子体辅助金属有机化学气相外延方法在硅和蓝宝石基片上制备高质量Zn3V2 (V: N, P, As) 薄膜。研究射频功率、基片温度及气体流速比对Zn3V2组分、结构性质的影响。用低能氧等离子体氧化与热处理技术相结合实现O替代V族元素,同时实现Ar等离子体诱导下的V族元素激活获得p-ZnO:V薄膜，研究等离子体参数和退火条件对p-ZnO:V薄膜材料的组分、结构、光学和电学输运性质的影响；研究氧化条件下O替代Zn3V2结构中V及其立方反锰铁矿结构Zn3V2向六方结构ZnO:V的变化规律，实现对电学性质和载流子浓度的控制；研究V对p-ZnO:V激子发光动力学过程的影响。制备性能良好的p-n (p-ZnO:V/n-ZnO:Al)结材料，研究结型材料中载流子吸收、驰豫及复合发光的机理。优化器件结构，研制出电注入ZnO 同质p-n结发光二极管的原形器件，为实现电注入紫外激光奠定基础。