新型半导体材料及其器件的电检测磁共振技术

完成了C60薄膜二极管、GaN发光二极管、Au/超薄富硅SiO2/n(+)So、Au/超薄氮氧化硅/P-So等新型半导体薄膜材料以其器件的磁共振以及电检测磁共振的研究，对目前国内工艺条件所制备的材料及其器件尚未能观察到它们的电子顺磁共振信号。而在所完成的10nm的硅量子线材料的电子顺磁共振研究中首次观察到了其内的本征顺磁缺陷；在掺Au/SiO2薄膜的非线性光学特性研究中，对高掺杂浓度的材料得到了高达10^（-6）esu的三阶非线性光学报化率，另外还观察到Fe-N薄膜材料的强铁磁性。为该课题及后续研究所研制的L波段的谱仪已通过性能测试，如能推广将取得一定的经济效益。