超宽频带SiGe HBT低噪声放大器研究

随着光纤通讯、移动通讯、电子对抗、电子仪器等方面提出越来越高的要求，研究开发宽频带、高增益、低噪声、使用方便、价格低廉、高集成的单片放大器已成为市场的热点。本项目开展基于成熟Si集成电路工艺的SiGe HBT(异质结双极晶体管)高增益、超宽带、低噪声放大器(LNA)的研究，主要包括进行基于Si工艺的LNA的稳定性和可靠性、噪声减少、增益平坦化优化设计方法研究，如温度补偿方法（包括HBT本身自加热补偿方法）、网络匹配方法、减少衬底损耗方法，为适应输入网络阻抗最佳匹配而进行的晶体管几何尺寸的优化设计，最终设计和研制一个满足技术指标的超宽频带SiGe HBT低噪声放大器。对研发基于Si集成电路工艺的高性能和高复杂度的RF（射频）/微波超宽频带、低噪声IC，开发具有自主知识产权的SiGe技术，提高我国移动通讯产品的竞争力，有实际意义。