纳米化合物半导体高效率电致发光和激光的基础研究

信息科学技术的发展要求用光子代替电子作为信息载体。相应地，微/纳电子集成要向微/纳光电子集成发展。迄今为止，人们还没有找到在硅上实现微/纳光电子集成的理想方法。半导体纳米材料可以直接生长或通过简单的方法分散在Si衬底上。通过自下而上的纳米器件制备方法可将多种纳电子和纳光电子器件直接构建于Si衬底上。本项目将在现有的工作基础上，深入研究实现直接禁带化合物半导体纳米线（带）高效率电致发光和电泵激光中一些基础的关键性问题，如：优化电致发光和电泵激光材料体系和器件结构，实现载流子布居反转，提高增益，降低损耗，设计合适的谐振腔等。我们所研究的电致发光材料体系很容易与硅微电子集成，是实现高效率硅基电致发光和电泵激光，发展硅基微/纳光电子集成的一种新途径，具有重要的科学意义。同时，在光互连、光通讯、高分辨微/纳显示等领域具有广泛的应用前景。