AlN以及Al-III族元素氮化物合金低维纳米结构新材料的合成及其光电性能研究

发展和完善利用简单原料和采用热化学气相沉积法合成AlN基低维纳米结构材料的实验方法和技术，并与催化生长和/或孔性氧化铝模板控制生长相结合，探索AlN基低维纳米结构新材料的制备、结构和化学组成可调控的新技术路线，研究AlN基纳米线及其阵列、纳米点阵列、多分叉纳米线、纳米带等低维纳米结构材料的制备规律和生长机理。由于AlN具有负的电子亲和势，这意味着当加上电场后易于获得大的场发射电流密度，其二维薄膜的场发射性能研究证明其作为场发射材料是可行的；另外，一维纳米材料有着纳米级的尖端能使场增强因子(beta)大为提高，可以预期其低维纳米材料有望具有优越的场发射性能，在平板显示等微电子领域有重要应用前景。迄今，AlN及Al-III族元素氮化物合金纳米结构新材料的研究工作还很少，通过研究这类材料的制备规律、其场发射性能和发光性能与化学组成和结构的关系，有望获得具有自主知识产权的创新成果。