IV-VI族二维纳米结构的可控合成及光电性能

在化学液相环境中，通过控制纳米晶的成核和生长，制备结构具有特定纵向和径向尺寸的IV-VI族二维纳米结构。并探索研究其光电特性：研究控制具有层状结构特征的IV-VI族二维纳米结构沿特定晶面的生长方式；研究非层状IV-VI族材料二维纳米结构在化学液相体系中组装行为；测试二维材料的物理性能，确认其结构以及纵向和径向尺寸与光电性能的关系。提出合理的二维纳米结构的生长机理和物理机制，为制备高性能二维纳米结构提供技术储备；努力发展一类光电性能增强的窄带隙半导体纳米结构，为新一代集成光电子纳米器件研发提供研究内容。

本项目的研究按照计划书进行，基本达到了预期的研究目标，具体如下：（1）采用传统溶剂热方法，利用IV-VI化合物自身特殊的层状结构，通过晶面生长控制策略成功合成了薄层状SnSe2，SnSe，SnS和SnS2等系列化合物。（2）通过对材料的带隙测量（此类材料的带隙在2 eV附近），材料非常适合作为可见光光响应器件。初步探索了材料作为光电器件的性能，相比于颗粒状材料，二维结构对材料的光电响应性能有很大的提升。（3）合成了GeOx和Ge系材料，并研究了材料的储锂性能。（4）系统总结所得二维纳米材料的结构、性能及其相互间的关系。