半导体纳米微粒和纳米线的生长、组装及测量研究在材料研究领域中具有突出地位。我们拟采用紧束缚势方法结合分子动力学和基因算法来研究与半导体功能纳米材料密切相关的一元Si, Ge, 二元Si/Ge, Si/O原子团簇及Si表面上的Si,Ge团簇,揭示Si,Ge,Si/Ge,Si/O团簇的几何生长模式(尤其在原子数约为30的行为),利用DFT + 准原子最小基方法研究团簇的电子光学特性和反应活性、以及它们随体系大小的变化关系。.本项目研究将采用的主要计算方法-紧束缚势分子动力学和基因算法-是目前计算大团簇,纳米材料及表面的重要工具。建立适用于固体及团簇等不同结构体系的新的紧束缚势模型也是本课题的重要研究内容。为了更好的描述团簇中复杂的相互作用,我们将引入三中心相互作用和建立准原子最小基表示下的哈密顿矩阵元数据库等手段来获取精确的Si,Ge,Si/Ge,Si/O
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数据更新时间:2023-05-31
Efficient photocatalytic degradation of organic dyes and reaction mechanism with Ag2CO3/Bi2O2CO3 photocatalyst under visible light irradiation
Intensive photocatalytic activity enhancement of Bi5O7I via coupling with band structure and content adjustable BiOBrxI1-x
内点最大化与冗余点控制的小型无人机遥感图像配准
栓接U肋钢箱梁考虑对接偏差的疲劳性能及改进方法研究
气载放射性碘采样测量方法研究进展
SiGe纳米材料热电性质的紧束缚势理论研究
复杂全原子核酸结构的紧束缚离子模型研究
有序Si纳米线Ge/Si量子点复合结构的溅射制备及其性能研究
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