Si衬底上生长的CdSe/ZnSe量子点量子线复合结构的受激发射性质研究

宽带隙II-VI族半导体具有优良的光电特性，如果能把它与成熟的Si半导体工艺相结合就能够实现光电器件在Si衬底上的集成。本研究就是在单晶Si衬底上生长ZnO纳米线阵列，然后以纳米线为模板在其上生长CdSe/ZnSe量子点量子线。通过样品结构形貌的表征，研究量子点的生长机理。通过调节生长温度，沉积速率等参数来控制量子点量子线的生长。通过发光光谱，变温光谱等手段，研究量子点的发光特性。并采用高强度光泵浦激发来获得量子点量子线的受激发射，研究量子点、量子线的尺寸对发光峰位置和受激发射阈值的影响，探索降低阈值的方法。