稀磁半导体量子点光学性质的理论研究

基本信息
批准号:60376016
项目类别:面上项目
资助金额:22.00
负责人:常凯
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2003
结题年份:2006
起止时间:2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:夏建白院士,杨文,李新征,金光生
关键词:
稀磁半导体自旋涨落与弛豫量子点光学性质
结项摘要

本项目主要研究稀磁半导体量子点中电子结构、光学性质。研究s-pd交换作用对稀磁半导体量子点尺寸,温度和磁离子分布等因素的依赖关系,以及对量子点光学性质的影响,并研究磁离子浓度,自旋涨落效应、外场等因素影响载流子自旋寿命的物理机制。本项目对于深化对稀磁半导体量子点的物理性质的理解和实现自旋极化的半导体光电器件具有重要的意义。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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